Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1142-T
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2.5 A
Verlustleistung, max: 10 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SB1142-T
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB1142-T kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1142 liegt im Bereich von 100 bis 400, die des 2SB1142-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1142-S im Bereich von 140 bis 280.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1142-T-Transistor könnte nur mit "B1142-T" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1142-T ist der 2SD1682-T.
SMD-Version des Transistors 2SB1142-T
Der 2SB1123 (SOT-89) und 2SB1123-T (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SB1142-T-Transistors.
