Bipolartransistor 2SB1123-R

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
• Verlustleistung, max: 0.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-89

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1123-R kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1123 liegt im Bereich von 100 bis 560, die des 2SB1123-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SB1123-T im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB1123-U im Bereich von 280 bis 560.Der 2SB1123-R-Transistor ist als "BFR" gekennzeichnet.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1123-R ist der 2SD1623-R.Sie können den Transistor 2SB1123-R durch einen 2DA1213, 2SA1213, 2SB1124 oder 2SB1124-R ersetzen.