Bipolartransistor 2SB1123-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1123-R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des 2SB1123-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1123-R kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1123 liegt im Bereich von 100 bis 560, die des 2SB1123-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SB1123-T im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB1123-U im Bereich von 280 bis 560.

Kennzeichnung

Der 2SB1123-R-Transistor ist als "BFR" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1123-R ist der 2SD1623-R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1123-R

Sie können den Transistor 2SB1123-R durch einen 2DA1213, 2SA1213, 2SB1124 oder 2SB1124-R ersetzen.
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