Bipolartransistor 2SA755-A

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA755-A

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 35 bis 70
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SA755-A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA755-A kann eine Gleichstromverstärkung von 35 bis 70 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA755 liegt im Bereich von 35 bis 200, die des 2SA755-B im Bereich von 60 bis 120, die des 2SA755-C im Bereich von 100 bis 200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA755-A-Transistor könnte nur mit "A755-A" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA755-A ist der 2SC1419-A.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA755-A

Sie können den Transistor 2SA755-A durch einen 2N6107, 2N6107G, 2N6108, 2N6109, 2N6109G, 2N6110, 2N6125, 2N6126, 2N6133, 2N6134, 2N6475, 2N6490, 2N6490G, 2N6491, 2N6491G, 2SA671, 2SA671-A, 2SA754, 2SA754-A, BD204, BD242A, BD242B, BD242C, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536J, BD538J, BD708, BD710, BD712, BD744A, BD744B, BD744C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD908, BD910, BD912, BDT42A, BDT42AF, BDT42B, BDT42BF, BDT42C, BDT42CF, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, KSE2955T, MJE2901T, MJE2955T, MJE2955TG, MJF2955, MJF2955G, NTE197, TIP2955T, TIP42A, TIP42AG, TIP42B, TIP42BG, TIP42C, TIP42CF oder TIP42CG ersetzen.
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