Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA755-A
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
Verlustleistung, max: 20 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 35 bis 70
Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SA755-A
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA755-A kann eine Gleichstromverstärkung von 35 bis 70 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA755 liegt im Bereich von 35 bis 200, die des 2SA755-B im Bereich von 60 bis 120, die des 2SA755-C im Bereich von 100 bis 200.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA755-A-Transistor könnte nur mit "A755-A" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA755-A ist der 2SC1419-A.