Bipolartransistor BD538J

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
• Verlustleistung, max: 50 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 30 bis 75
• Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BD538J kann eine Gleichstromverstärkung von 30 bis 75 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD538 liegt im Bereich von 40 bis 0, die des BD538K im Bereich von 40 bis 100.Der komplementäre NPN-Transistor zum BD538J ist der BD537J.Sie können den Transistor BD538J durch einen 2N6491, 2N6491G, BD710, BD712, BD744B, BD744C, BD800, BD802, BD810, BD910, BD912, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, MJF2955 oder MJF2955G ersetzen.