Bipolartransistor BDT42B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT42B

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -6 A
  • Verlustleistung, max: 65 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 75
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDT42B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDT42B ist der BDT41B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT42B

Sie können den Transistor BDT42B durch einen BD710, BD712, BD910, BD912, BDT42BF, BDT42C, BDT42CF, MJE5170, MJE5171, MJE5172, TIP42B, TIP42BG, TIP42C, TIP42CF oder TIP42CG ersetzen.
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