Bipolartransistor 2SA671

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA671

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 35 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SA671

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA671 kann eine Gleichstromverstärkung von 35 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA671-A liegt im Bereich von 35 bis 70, die des 2SA671-B im Bereich von 60 bis 120, die des 2SA671-C im Bereich von 100 bis 200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA671-Transistor könnte nur mit "A671" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA671 ist der 2SC1061.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA671

Sie können den Transistor 2SA671 durch einen BD204, BD242A, BD242B, BD242C, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8 oder D45C9 ersetzen.
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