Transistor bipolaire BDX63

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 80 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 8 A
• Dissipation de puissance maximum: 90 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Fréquence de transition minimum: 7 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDX63 est le BDX62.Vous pouvez remplacer le transistor BDX63 par 2N6384, 2N6385, BDX63A, BDX63B, BDX63C, BDX65, BDX65A, BDX65B, BDX65C, BDX67, BDX67A, BDX67B, BDX67C, BDX69, BDX69A, BDX69B, BDX69C, MJ1000, MJ1001, MJ11012, MJ11012G, MJ11014, MJ11014G, MJ11016, MJ11016G, MJ11028, MJ11028G, MJ11030, MJ11030G, MJ11032, MJ11032G, MJ3000, MJ3001, MJ4033, MJ4034, MJ4035, TIP600, TIP601, TIP602, TIP640, TIP641 ou TIP642.