Transistor bipolaire MJ11012G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 60 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 30 A
• Dissipation de puissance maximum: 200 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3
• Le MJ11012G est la version sans plomb du transistor MJ11012

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJ11012G est le MJ11011G.Vous pouvez remplacer le transistor MJ11012G par MJ11012, MJ11014, MJ11014G, MJ11016, MJ11016G, MJ11028, MJ11028G, MJ11030, MJ11030G, MJ11032 ou MJ11032G.