Transistor bipolaire MJ11032

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
• Tension collecteur-base maximum: 120 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 50 A
• Dissipation de puissance maximum: 300 W
• Gain de courant (h_fe): 1000 à 18000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJ11032 est le MJ11033.Vous pouvez remplacer le transistor MJ11032 par MJ11032G.Le transistor MJ11032G est la version sans plomb du MJ11032.