Transistor bipolaire MJ11030

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 90 V
• Tension collecteur-base maximum: 90 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 50 A
• Dissipation de puissance maximum: 300 W
• Gain de courant (h_fe): 1000 à 18000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJ11030 est le MJ11031.Vous pouvez remplacer le transistor MJ11030 par MJ11030G, MJ11032 ou MJ11032G.Le transistor MJ11030G est la version sans plomb du MJ11030.