Transistor bipolaire MJ11016G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
• Tension collecteur-base maximum: 120 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 30 A
• Dissipation de puissance maximum: 200 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3
• Le MJ11016G est la version sans plomb du transistor MJ11016

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJ11016G est le MJ11015G.Vous pouvez remplacer le transistor MJ11016G par MJ11016, MJ11032 ou MJ11032G.