Transistor bipolaire MJ11030G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 90 V
• Tension collecteur-base maximum: 90 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 50 A
• Dissipation de puissance maximum: 300 W
• Gain de courant (h_fe): 1000 à 18000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3
• Le MJ11030G est la version sans plomb du transistor MJ11030

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJ11030G est le MJ11031G.Vous pouvez remplacer le transistor MJ11030G par MJ11030, MJ11032 ou MJ11032G.