Transistor bipolaire BDX63A

Caractéristiques électriques du transistor BDX63A

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 90 W
  • Gain de courant (hfe): 1000
  • Fréquence de transition minimum: 7 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du BDX63A

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BDX63A

Le transistor PNP complémentaire du BDX63A est le BDX62A.

Substituts et équivalents pour le transistor BDX63A

Vous pouvez remplacer le transistor BDX63A par 2N6385, BDX63B, BDX63C, BDX65A, BDX65B, BDX65C, BDX67A, BDX67B, BDX67C, BDX69A, BDX69B, BDX69C, MJ1001, MJ11014, MJ11014G, MJ11016, MJ11016G, MJ11030, MJ11030G, MJ11032, MJ11032G, MJ3001, MJ4034, MJ4035, TIP601, TIP602, TIP641 ou TIP642.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com