Transistor bipolaire BDX63C

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
• Tension collecteur-base maximum: 140 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 8 A
• Dissipation de puissance maximum: 90 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Fréquence de transition minimum: 7 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDX63C est le BDX62C.Vous pouvez remplacer le transistor BDX63C par BDX65C, BDX67C, BDX69C, MJ11016, MJ11016G, MJ11032 ou MJ11032G.