Transistor bipolaire MJ11014

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 90 V
• Tension collecteur-base maximum: 90 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 30 A
• Dissipation de puissance maximum: 200 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJ11014 est le MJ11013.Vous pouvez remplacer le transistor MJ11014 par MJ11014G, MJ11016, MJ11016G, MJ11030, MJ11030G, MJ11032 ou MJ11032G.Le transistor MJ11014G est la version sans plomb du MJ11014.