Transistor bipolaire BDX69C

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
• Tension collecteur-base maximum: 120 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 25 A
• Dissipation de puissance maximum: 200 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDX69C est le BDX68C.Vous pouvez remplacer le transistor BDX69C par MJ11016, MJ11016G, MJ11032 ou MJ11032G.