Transistor bipolaire BDX67C

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
• Tension collecteur-base maximum: 120 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 16 A
• Dissipation de puissance maximum: 150 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDX67C est le BDX66C.Vous pouvez remplacer le transistor BDX67C par BDX69C, MJ11016, MJ11016G, MJ11032 ou MJ11032G.