Transistor bipolaire BDX65

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 60 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 12 A
• Dissipation de puissance maximum: 117 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDX65 est le BDX64.Vous pouvez remplacer le transistor BDX65 par BDX65A, BDX65B, BDX65C, BDX67, BDX67A, BDX67B, BDX67C, BDX69, BDX69A, BDX69B, BDX69C, MJ11012, MJ11012G, MJ11014, MJ11014G, MJ11016, MJ11016G, MJ11028, MJ11028G, MJ11030, MJ11030G, MJ11032, MJ11032G, MJ4033, MJ4034 ou MJ4035.