Transistor bipolaire MJ11016

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
• Tension collecteur-base maximum: 120 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 30 A
• Dissipation de puissance maximum: 200 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJ11016 est le MJ11015.Vous pouvez remplacer le transistor MJ11016 par MJ11016G, MJ11032 ou MJ11032G.Le transistor MJ11016G est la version sans plomb du MJ11016.