Transistor bipolaire MJ11032G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
• Tension collecteur-base maximum: 120 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 50 A
• Dissipation de puissance maximum: 300 W
• Gain de courant (h_fe): 1000 à 18000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3
• Le MJ11032G est la version sans plomb du transistor MJ11032

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJ11032G est le MJ11033G.Vous pouvez remplacer le transistor MJ11032G par MJ11032.