Transistor bipolaire BDX65B
Caractéristiques électriques du transistor BDX65B
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
- Tension collecteur-base maximum: 100 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 12 A
- Dissipation de puissance maximum: 117 W
- Gain de courant (hfe): 1000
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +200 °C
- Boîtier: TO-3
Brochage du BDX65B
Complémentaire du transistor BDX65B
Substituts et équivalents pour le transistor BDX65B
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