Transistor bipolaire BDX67B

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 16 A
• Dissipation de puissance maximum: 150 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BDX67B est le BDX66B.Vous pouvez remplacer le transistor BDX67B par BDX67C, BDX69B, BDX69C, MJ11016, MJ11016G, MJ11032, MJ11032G ou MJ4035.