Transistor bipolar KSB985-R

Características del transistor KSB985-R

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 150 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 8 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 10 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 2000 a 5000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD985-M transistor

Diagrama de pines del KSB985-R

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KSB985-R puede tener una ganancia de corriente de 2000 a 5000. La ganancia del KSB985 estará en el rango de 2000 a 30000, para el KSB985-O estará en el rango de 4000 a 10000, para el KSB985-Y estará en el rango de 8000 a 30000.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del KSB985-R es el KSB794-R.

Sustitución y equivalentes para el transistor KSB985-R

Puede sustituir el KSB985-R por el 2N6038, 2N6038G, 2N6039, 2N6039G, 2SD1509, 2SD1692, 2SD1692-M, 2SD985, 2SD985-M, 2SD986, 2SD986-M, BD167, BD169, BD189, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD677, BD677A, BD677AG, BD677G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD777, BD779, KSB986, KSB986-R, KSD1692, KSD1692-O, KSE800, KSE801, KSE802, KSE803, MJE225, MJE242, MJE244, MJE270, MJE270G, MJE721, MJE722, MJE800, MJE800G, MJE801, MJE801G, MJE802, MJE802G, MJE803 o MJE803G.
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