Transistor bipolar MJE800G

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 4 A
• Disipación de Potencia Máxima: 40 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 750
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: TO-126

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor PNP complementario del MJE800G es el MJE700G.Puede sustituir el MJE800G por el 2N6038, 2N6038G, 2N6039, 2N6039G, BD677, BD677A, BD677AG, BD677G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD777, BD779, KSE800, KSE801, KSE802, KSE803, MJE800, MJE801, MJE801G, MJE802, MJE802G, MJE803 o MJE803G.