Transistor bipolar BD679AG

Características del transistor BD679AG

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 750
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126
  • El BD679AG es la versión sin plomo del transistor BD679A

Diagrama de pines del BD679AG

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BD679AG es el BD680AG.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD679AG

Puede sustituir el BD679AG por el 2N6039, 2N6039G, BD679, BD679A, BD679G, BD681, BD681G, BD779, KSE802, KSE803, MJE802, MJE802G, MJE803 o MJE803G.
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