Transistor bipolar KSB986

Características del transistor KSB986

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 150 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 8 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 10 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 2000 a 30000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD986 transistor

Diagrama de pines del KSB986

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KSB986 puede tener una ganancia de corriente de 2000 a 30000. La ganancia del KSB986-O estará en el rango de 4000 a 10000, para el KSB986-R estará en el rango de 2000 a 5000, para el KSB986-Y estará en el rango de 8000 a 30000.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del KSB986 es el KSB795.

Sustitución y equivalentes para el transistor KSB986

Puede sustituir el KSB986 por el 2SD1509, 2SD986, BD169, BD237, BD237G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD779, KSE802, KSE803, MJE242, MJE244, MJE270, MJE270G, MJE722, MJE802, MJE802G, MJE803 o MJE803G.
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