Transistor bipolar 2SD985

Características del transistor 2SD985

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 150 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 8 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 10 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 2000 a 30000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SD985

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD985 puede tener una ganancia de corriente de 2000 a 30000. La ganancia del 2SD985-K estará en el rango de 8000 a 30000, para el 2SD985-L estará en el rango de 4000 a 10000, para el 2SD985-M estará en el rango de 2000 a 5000.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD985 puede estar marcado sólo como "D985".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD985 es el 2SB794.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD985

Puede sustituir el 2SD985 por el 2SD1509, 2SD986, BD167, BD169, BD189, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD677, BD677A, BD677AG, BD677G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD777, BD779, KSB985, KSB986, KSE800, KSE801, KSE802, KSE803, MJE225, MJE242, MJE244, MJE270, MJE270G, MJE721, MJE722, MJE800, MJE800G, MJE801, MJE801G, MJE802, MJE802G, MJE803 o MJE803G.
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