Transistor bipolar MJE801G

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 4 A
• Disipación de Potencia Máxima: 40 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 750
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: TO-126

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor PNP complementario del MJE801G es el MJE701G.Puede sustituir el MJE801G por el 2N6038, 2N6038G, 2N6039, 2N6039G, BD677, BD677A, BD677AG, BD677G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD777, BD779, KSE800, KSE801, KSE802, KSE803, MJE800, MJE800G, MJE801, MJE802, MJE802G, MJE803 o MJE803G.