Transistor bipolar KSB985

Características del transistor KSB985

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 150 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 8 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 10 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 2000 a 30000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD985 transistor

Diagrama de pines del KSB985

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KSB985 puede tener una ganancia de corriente de 2000 a 30000. La ganancia del KSB985-O estará en el rango de 4000 a 10000, para el KSB985-R estará en el rango de 2000 a 5000, para el KSB985-Y estará en el rango de 8000 a 30000.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del KSB985 es el KSB794.

Sustitución y equivalentes para el transistor KSB985

Puede sustituir el KSB985 por el 2SD1509, 2SD985, 2SD986, BD167, BD169, BD189, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD677, BD677A, BD677AG, BD677G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD777, BD779, KSB986, KSE800, KSE801, KSE802, KSE803, MJE225, MJE242, MJE244, MJE270, MJE270G, MJE721, MJE722, MJE800, MJE800G, MJE801, MJE801G, MJE802, MJE802G, MJE803 o MJE803G.
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