Transistor bipolar BD679

Características del transistor BD679

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 750
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular MJE802 transistor

Diagrama de pines del BD679

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

BD679 equivalent circuit

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BD679 es el BD680.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD679

Puede sustituir el BD679 por el 2N6039, 2N6039G, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD779, KSE802, KSE803, MJE802, MJE802G, MJE803 o MJE803G.

Versión sin plomo

El transistor BD679G es la versión sin plomo del BD679.
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