Transistor bipolar BD679
Características del transistor BD679
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 4 A
- Disipación de Potencia Máxima: 40 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 750
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-126
- Electrically Similar to the Popular MJE802 transistor
Diagrama de pines del BD679
Equivalent circuit
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor BD679
Versión sin plomo
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