Transistor bipolar BD681G

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 4 A
• Disipación de Potencia Máxima: 40 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 750
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
• Encapsulado: TO-126
• El BD681G es la versión sin plomo del transistor BD681

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor PNP complementario del BD681G es el BD682G.Puede sustituir el BD681G por el BD681.