Transistor bipolar BD681

Características del transistor BD681

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 750
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del BD681

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

BD681 equivalent circuit

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BD681 es el BD682.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD681

Puede sustituir el BD681 por el BD681G.

Versión sin plomo

El transistor BD681G es la versión sin plomo del BD681.
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