Transistor bipolar BD777

Características del transistor BD777

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 15 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 750
  • Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del BD777

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

BD777 equivalent circuit

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BD777 es el BD778.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD777

Puede sustituir el BD777 por el 2N6038, 2N6038G, 2N6039, 2N6039G, BD677, BD677A, BD677AG, BD677G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD779, KSE800, KSE801, KSE802, KSE803, MJE800, MJE800G, MJE801, MJE801G, MJE802, MJE802G, MJE803 o MJE803G.
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