Transistor bipolar BD779

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 4 A
• Disipación de Potencia Máxima: 15 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 750
• Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
• Encapsulado: TO-126

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor PNP complementario del BD779 es el BD780.Puede sustituir el BD779 por el 2N6039, 2N6039G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, KSE802, KSE803, MJE802, MJE802G, MJE803 o MJE803G.