Transistor bipolar KSB986-R
Características del transistor KSB986-R
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 150 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 8 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 1.5 A
- Disipación de Potencia Máxima: 10 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 2000 a 5000
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-126
- Electrically Similar to the Popular 2SD986-M transistor
Diagrama de pines del KSB986-R
Clasificación de hFE
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor KSB986-R
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