Transistor bipolar BD677

Características del transistor BD677

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 750
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular MJE800 transistor

Diagrama de pines del BD677

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

BD677 equivalent circuit

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BD677 es el BD678.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD677

Puede sustituir el BD677 por el 2N6038, 2N6038G, 2N6039, 2N6039G, BD677A, BD677AG, BD677G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD777, BD779, KSE800, KSE801, KSE802, KSE803, MJE800, MJE800G, MJE801, MJE801G, MJE802, MJE802G, MJE803 o MJE803G.

Versión sin plomo

El transistor BD677G es la versión sin plomo del BD677.
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