Transistor bipolar MJE803

Características del transistor MJE803

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 750
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del MJE803

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

MJE803 equivalent circuit

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del MJE803 es el MJE703.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJE803

Puede sustituir el MJE803 por el 2N6039, 2N6039G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD779, KSE802, KSE803, MJE802, MJE802G o MJE803G.
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