Transistor bipolar BD679G
Características del transistor BD679G
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 4 A
- Disipación de Potencia Máxima: 40 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 750
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-126
- El BD679G es la versión sin plomo del transistor BD679
Diagrama de pines del BD679G
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor BD679G
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