Transistor bipolar BD679G

Características del transistor BD679G

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 750
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126
  • El BD679G es la versión sin plomo del transistor BD679

Diagrama de pines del BD679G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BD679G es el BD680G.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD679G

Puede sustituir el BD679G por el 2N6039, 2N6039G, BD679, BD679A, BD679AG, BD681, BD681G, BD779, KSE802, KSE803, MJE802, MJE802G, MJE803 o MJE803G.
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