Bipolartransistor TTB1020B
Elektrische Eigenschaften des Transistors TTB1020B
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
- Verlustleistung, max: 30 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 2000 bis 15000
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des TTB1020B
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor TTB1020B
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