Bipolartransistor TTB1020B

Elektrische Eigenschaften des Transistors TTB1020B

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 2000 bis 15000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des TTB1020B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum TTB1020B ist der TTD1415B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor TTB1020B

Sie können den Transistor TTB1020B durch einen 2N6042, 2N6042G, 2SB1020, 2SB1020A, 2SB1228, 2SB673, 2SB886, BD544C, BD546C, BD650, BD652, BD802, BD902, BDT62B, BDT62C, BDT64B, BDT64C, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW74C, BDW74D, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031, MJF15031G, TIP107, TIP107G, TIP137, TIP137G oder TIP147T ersetzen.
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