Bipolartransistor TIP112G
Elektrische Eigenschaften des Transistors TIP112G
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
- Verlustleistung, max: 50 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
- Der TIP112G ist die bleifreie Version des TIP112-Transistors
Pinbelegung des TIP112G
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Equivalent circuit
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre
PNP-Transistor zum TIP112G ist der
TIP117G.
Ersatz und Äquivalent für Transistor TIP112G
Sie können den Transistor TIP112G durch einen
2N6045,
2N6045G,
2N6532,
2SD1194,
2SD1195,
2SD1196,
2SD1415,
2SD1415A,
2SD1828,
2SD1829,
2SD1830,
2SD1892,
2SD1892-P,
2SD1892-Q,
2SD2241,
2SD2495,
2SD2495-O,
2SD2495-P,
2SD2495-Y,
2SD560,
2SD560-KB,
2SD560-LB,
2SD560-MB,
2SD633,
BDT63B,
BDT63C,
BDT65B,
BDT65C,
BDW42,
BDW42G,
BDW43,
KSB601,
KSB601-O,
KSB601-R,
KSB601-Y,
KSD560,
KSD560-O,
KSD560-R,
KSD560-Y,
MJF122,
MJF122G,
MJF6388,
MJF6388G,
TIP102,
TIP102G,
TIP112,
TIP122,
TIP122G,
TIP132,
TIP132G,
TIP142T oder
TTD1415B ersetzen.
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