Elektrische Eigenschaften des Transistors KSE13006H1
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 600 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
Verlustleistung, max: 80 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 28
Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des KSE13006H1
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSE13006H1 kann eine Gleichstromverstärkung von 15 bis 28 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSE13006 liegt im Bereich von 8 bis 60, die des KSE13006H2 im Bereich von 26 bis 39.