Bipolartransistor KSE13006H1

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSE13006H1

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 600 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 28
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des KSE13006H1

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSE13006H1 kann eine Gleichstromverstärkung von 15 bis 28 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSE13006 liegt im Bereich von 8 bis 60, die des KSE13006H2 im Bereich von 26 bis 39.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSE13006H1

Sie können den Transistor KSE13006H1 durch einen 2N6738, 2N6739, 2N6740, 2SC2898, 2SC3057, 2SC4107, 2SC4107-L, 2SC4108, 2SC4108-L, 2SC4162, 2SC4162-L, 2SC4163, 2SC4163-L, 2SC4164, 2SC4164-L, FJP13007, FJP13007H1, FJP13009, FJP13009H2, KSE13007, KSE13007F, KSE13007FH1, KSE13007H1, KSE13008, KSE13008H2, KSE13009, KSE13009H2, MJE13006, MJE13007, MJE13007A, MJE13007G, MJE13008, MJE13009, MJE13009G, MJE18008, MJE18008G, MJF18008, MJF18008G, STD13007, STD13007-A, STD13007F, STD13007FC, STD13007FC-A, STD13007P oder STD13007P-A ersetzen.
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