Bipolartransistor KSE13006

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 600 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
• Verlustleistung, max: 80 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 8 bis 60
• Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220
• Electrically Similar to the Popular MJE13006 transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSE13006 kann eine Gleichstromverstärkung von 8 bis 60 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSE13006H1 liegt im Bereich von 15 bis 28, die des KSE13006H2 im Bereich von 26 bis 39.Sie können den Transistor KSE13006 durch einen FJP13007, KSE13007, KSE13007F, MJE13006, MJE13007, MJE13007A, MJE13007G oder STD13007F ersetzen.