Bipolartransistor MJF18008G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJF18008G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 450 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 1000 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 45 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 14 bis 34
  • Übergangsfrequenz, min: 13 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular MJE18008G transistor
  • Der MJF18008G ist die bleifreie Version des MJF18008-Transistors

Pinbelegung des MJF18008G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJF18008G

Sie können den Transistor MJF18008G durch einen MJE18008, MJE18008G oder MJF18008 ersetzen.
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