Bipolartransistor KSE13009H2

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 700 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
• Verlustleistung, max: 100 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 15 bis 28
• Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSE13009H2 kann eine Gleichstromverstärkung von 15 bis 28 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSE13009 liegt im Bereich von 8 bis 40, die des KSE13009H1 im Bereich von 8 bis 17.Der KSE13009H2-Transistor ist als "E13009-2" gekennzeichnet.Sie können den Transistor KSE13009H2 durch einen 2SC4108, 2SC4108-L, 2SC4163, 2SC4163-L, 2SC4164, 2SC4164-L, FJP13009, FJP13009H2, MJE13009 oder MJE13009G ersetzen.