Bipolartransistor KSE13008H2

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSE13008H2

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 600 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
  • Verlustleistung, max: 100 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 28
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des KSE13008H2

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSE13008H2 kann eine Gleichstromverstärkung von 15 bis 28 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSE13008 liegt im Bereich von 8 bis 40, die des KSE13008H1 im Bereich von 8 bis 17.

Kennzeichnung

Der KSE13008H2-Transistor ist als "E13008-2" gekennzeichnet.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSE13008H2

Sie können den Transistor KSE13008H2 durch einen 2SC4108, 2SC4108-L, 2SC4163, 2SC4163-L, 2SC4164, 2SC4164-L, FJP13009, FJP13009H2, KSE13009, KSE13009H2, MJE13008, MJE13009 oder MJE13009G ersetzen.
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