Bipolartransistor KSE13007H1

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSE13007H1

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 700 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 28
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des KSE13007H1

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSE13007H1 kann eine Gleichstromverstärkung von 15 bis 28 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSE13007 liegt im Bereich von 8 bis 60, die des KSE13007H2 im Bereich von 26 bis 39.

Kennzeichnung

Der KSE13007H1-Transistor ist als "E13007-1" gekennzeichnet.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSE13007H1

Sie können den Transistor KSE13007H1 durch einen 2N6740, 2SC2898, 2SC3057, 2SC4107, 2SC4107-L, 2SC4108, 2SC4108-L, 2SC4162, 2SC4162-L, 2SC4163, 2SC4163-L, 2SC4164, 2SC4164-L, FJP13007, FJP13007H1, FJP13009, FJP13009H2, KSE13007F, KSE13007FH1, KSE13009, KSE13009H2, MJE13007, MJE13007A, MJE13007G, MJE13009, MJE13009G, MJE18008, MJE18008G, MJF18008, MJF18008G, STD13007, STD13007-A, STD13007F, STD13007FC, STD13007FC-A, STD13007P oder STD13007P-A ersetzen.
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