Elektrische Eigenschaften des Transistors FJP13007H1
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 700 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
Verlustleistung, max: 80 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 28
Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des FJP13007H1
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor FJP13007H1 kann eine Gleichstromverstärkung von 15 bis 28 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJP13007 liegt im Bereich von 8 bis 60, die des FJP13007H2 im Bereich von 26 bis 39.
Kennzeichnung
Der FJP13007H1-Transistor ist als "J13007-1" gekennzeichnet.