Bipolartransistor STD13007P

Elektrische Eigenschaften des Transistors STD13007P

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 700 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 87 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 10 bis 45
  • Übergangsfrequenz, min: 14 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des STD13007P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor STD13007P kann eine Gleichstromverstärkung von 10 bis 45 haben. Die Gleichstromverstärkung des STD13007P-A liegt im Bereich von 10 bis 30, die des STD13007P-B im Bereich von 25 bis 45.

Ersatz und Äquivalent für Transistor STD13007P

Sie können den Transistor STD13007P durch einen FJP13007, KSE13007, KSE13007F, MJE13007, MJE13007A, MJE13007G, STD13007, STD13007F oder STD13007FC ersetzen.
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