Elektrische Eigenschaften des Transistors KSE13006H2
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 600 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
Verlustleistung, max: 80 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 26 bis 39
Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des KSE13006H2
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSE13006H2 kann eine Gleichstromverstärkung von 26 bis 39 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSE13006 liegt im Bereich von 8 bis 60, die des KSE13006H1 im Bereich von 15 bis 28.