Bipolartransistor KSE13006H2

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSE13006H2

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 600 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 26 bis 39
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des KSE13006H2

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSE13006H2 kann eine Gleichstromverstärkung von 26 bis 39 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSE13006 liegt im Bereich von 8 bis 60, die des KSE13006H1 im Bereich von 15 bis 28.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSE13006H2

Sie können den Transistor KSE13006H2 durch einen 2N6738, 2N6739, 2N6740, 2SC2898, 2SC3057, 2SC4107, 2SC4107-M, 2SC4108, 2SC4108-M, 2SC4162, 2SC4162-M, 2SC4163, 2SC4163-M, 2SC4164, 2SC4164-M, FJP13007, FJP13007H2, FJP13009, KSE13007, KSE13007F, KSE13007FH2, KSE13007H2, KSE13008, KSE13009, MJE13006, MJE13007, MJE13007A, MJE13007G, MJE13008, MJE13009, MJE13009G, STD13007, STD13007-B, STD13007F, STD13007FC, STD13007FC-B, STD13007P oder STD13007P-B ersetzen.
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