Bipolartransistor MJE13006

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 600 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
• Verlustleistung, max: 80 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 8 bis 60
• Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Sie können den Transistor MJE13006 durch einen FJP13007, KSE13006, KSE13007, KSE13007F, MJE13007, MJE13007A, MJE13007G oder STD13007F ersetzen.